Форм-фактор | 2.5″ |
Объем памяти | 500 ГБ |
Тип ячеек памяти | V-NAND MLC |
Интерфейс | SATA III |
NVMe | Без поддержки протокола NVMe |
Контроллер | Samsung MJX |
Скорость чтения | 550 |
Скорость записи | 500 |
Ресурс записи (TBW) | 300 |
Время наработки на отказ | 1.5 млн |
Ударостойкость | 1500 |
Потребляемая мощность | 4 Вт |
Рабочая температура | От 0 до 70 |
Дополнительно |
Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM Поддержка технологии GC (Garbage Collection) Поддержка WWN AES 256-битное шифрование (класс 0) TCG/Opal IEEE1667 Случайное чтение (4 КБ, QD32): до 98 000 IOPS Случайное чтение (4 КБ, QD1): до 10000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD32): до 90 000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD1): до 42 000 IOPS |
Габариты | 100 x 69.85 x 6.8 |
Вес | 50 |
Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии